首款3bit 3D闪 存SSD 三星850 EVO首测

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品牌:三星 固态硬盘 1 3D闪存刷新架构 128G仅需单颗粒 首款采用2bit3DV-NAND闪存的三星850PRO旗舰级SSD诞生不足半年,三星紧接着推出新一代主打性价比的850EVOSSD,它采用架构更为先进的3bit3DV-NAND闪存。这引起SSD用户的好奇和兴趣,3bit3DV-NAND闪存能

品牌:三星 固态硬盘13D闪存刷新架构 128G仅需单颗粒

首款采用2bit 3D V-NAND闪存的三星850PRO旗舰级SSD诞生不足半年,三星紧接着推出新一代主打性价比的850 EVO SSD,它采用架构更为先进的3bit 3D V-NAND闪存。这引起SSD用户的好奇和兴趣,3bit 3D V-NAND闪存能给我们带来什么变化?

首款3bit 3D闪存SSD  三星850 EVO首测


三星850 EVO SSD首测

作为840 EVO的替代升级型号,850 EVO延续原厂主控、闪存、缓存、固件的四位一体优势。和840 EVO的相比,850 EVO的最大亮点无疑是3bit 3D V-NAND闪存,它的单位存储密度、P/E耐久度较之840 EVO的2D平面闪存有质的提升。 

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三星850 EVO 1TB SSD

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三星850 EVO 1TB SSD(背面)

外观上,850 EVO采用850PRO的主色调和设计风格,除了背后醒目的标签,正面区别主要看①850PRO的壳体边框进行抛光处理,看起来“锃亮锃亮滴”;②外壳的三星LOGO正下方的方形标识,850PRO为红色,850 EVO则为灰色。

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850 EVO(左)和850PRO(右)

上一代三星840 EVO为了区分840PRO,前者采用灰色的主色调(后者采用黑色),并且840PRO和840 EVO拉开性能差距。此次850 EVO和850PRO采用同样的主色调,留给我们一个悬念:850 EVO的性能达到850PRO的水准?

产品:2850 EVO:MEX主控+3bit 3D闪存

3bit 3D V-NAND闪存长什么样?它和普通SSD所采用的2D闪存区别不大,但它的内部构造和普通2D平面闪存有着本质的不同。一块3bit 3D V-NAND闪存芯片由32个单元层垂直堆叠而成,它并没有减少单元层尺寸,而且由于采用了更小的碳足迹,此结构密度更高,性能更强。

一款SSD的主控和闪存对性能起到决定性作用,下面我们拆解三星850 EVO 1TB SSD,对它的主控和闪存进行解析:

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三星850 EVO 1TB SSD的PCB电路部分

▆主控:和840 EVO、850PRO一致

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三星S4LN045X01-8030(MEX)主控芯片

三星850 EVO 1TB SSD采用840 EVO、850PRO的S4LN045X01-8030(MEX)主控芯片,属于ARM架构的三核处理器,具备强悍的多任务、多路数据读写传输能力。

▆闪存:首款应用消费级SSD的3bit 3D V-NAND 

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3bit 3D V-NAND闪存

3bit MLC闪存率先应用在前两代的三星840系SSD,而在3bit 3D V-NAND闪存,三星再次走在其他厂家前面,首次应用于850 EVO SSD。和采用2bit 3D V-NAND的85OPRO 1TB SSD不同,850 EVO 1TB SSD采用的8颗3D闪存均为同规格容量;而850PRO 1TB SSD的正反两面的闪存编号和容量不一。

这款率先采用3bit 3D V-NAND闪存的消费级SSD性能如何?下面我们将用850PRO 1TB、840PRO 512GB SSD、840 EVO 1TB SSD进行性能对比、分析:

产品:3读写速度对比:与850PRO试比高

■ATTO Disk Benchmark测试
数据类型:压缩型
   

  ATTO Disk Benchmark是一款优秀且免费的磁盘基准测试软件,支持对稳定性/突发性传输速率进行读写测试,适用于常规硬盘、RAID、USB闪存盘、移动存储卡等产品的读写性能测试。

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三星850 EVO 1TB SSD ATTO 队列深度4测试

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压缩数据 读写速度对比

■ CrystalDiskMark持续读写测试
数据类型:非压缩型
   

  CrystalDiskMark是一款简单易用的硬盘性能测试软件,但测试项目非常全面,涵盖连续读写、512K和4KB数据包随机读写性能,以及队列深度(Queue Depth)为32的情况下的4K随机性能。队列深度描述的是硬盘能够同时激活的最大IO值,队列深度越大,实际性能也会越高。

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